Allex
ты утверждаешь, что при уходе в троттлинг контроллера SSD температура флеша падала на 10-15 °С?
это у вас снова слишком прямолинейная трактовка наблюдений.
на самом деле в ходе продолжительной записи до начала троттлинга флеш нагревался лишь чуть медленнее контроллера, разница их температур на поверхности чипов была невелика, дельта относительно 30 градусов в покое у нагревающегося флеша была примерно на треть ниже, чем у контроллера.
троттлинг включался, когда температура, показываемая датчиком выходила за 70-80 (вроде бы) градусов. реально на контроллере она была выше (хотя ниже 90). на флеше около 60 и иногда немного выше.
если бы троттлинг не включался, то очевидно, что нагрузка записи была бы ещё выше и флеш разогревался бы дальше. так как я не имею ни возможности ни желания отключать троттлинг, то не могу точно сказать, до какой температуры мог бы разогреться флеш без него. беглый взгляд на графики температуры датчика, представленные в обзорах, говорит о том, что температура контроллера до её стабилизации могла бы дотянуть и до 100 градусов, что соответствует нагреву флеша до 70-75 градусов. отсюда сделан вывод, что троттлинг контроллера позволяет попутно снизить (вернее предотвратить) разогрев флеша на 10-15 градусов.
Тогда, почему на мой прямой вопрос, где о них можно почитать, ты дал ссылки на "протиральщиков"?...
потому что полностью та моя фраза была вот такой :
в том то и дело, что испытания проводятся эмуляцией эксплуатации. кроме того, они проводятся для подтверждения заявленного endurance, а не выяснения какого-то предельного, как этот на 3dnews. причем не только же на 3dnews подобные тесты на износ делали
в ней фабричные тесты, проводящиеся скорее всего в соответствии с jedec и имевшиеся в виду в первой части фразы, противопоставлялись тестам как этот на 3dnews и ему подобных.
я же уже писал вам, что выдирая квотируемые фразы из контекста вы теряете/искажаете их смысл. в данном случае часть "они проводятся для подтверждения заявленного endurance" относилась к тестам фабричным/jedec. про которые писал уважаемый iXHell, а ваш вопрос я понял, как относящийся к тестам подобным на 3dnews. потому как перед этим вы вроде как были в курсе где почитать стандарты jedec.
Вот, например, один из повевшихся...
вы понимаете, что делая вывод о всех подписчиках на основании одной реплики одного конкретного подписчика, вы делаете ещё более грубую ошибку чем ту, которую приписываете авторам теста на износ на 3dnews ? они хотя бы, переводя по аналогии, анализируют все фразы тестируемых ssd, а вы выхватили одну, без контекста, проинтерпретировали её по своему, совсем не так как автор фразы (потому что в его интерпретации он совершенно прав - после записи 1PB на 850evo он работал, адекватно отвечал на запросы системы, так что выдержал), а, главное, затем сами придумали вывод и распространили его на все множество подписчиков, не являющихся профессионалами. вам не стыдно, а ?
Allex А можно источник этих сведений?
каких ? того, что запись у samsung в 3d nand идет одним импульсом, а у планарной tlc тремя ? да вот хоть тут. материалы конференций в санта-кларе полистайте.
Григорий-Г так, к слову, для разделения 4 битов требуется 3 пороговых напряжения, а не 4.
а в целом вы заблуждаетесь, когда считаете, что mlc/tlc одинаковы и для планарной и для трехмерной организации флеша. число уровней заряда/бит ячейки флеша является далеко не единственной характеристикой, влияющей на ресурс записи/очистки для ssd.
ты утверждаешь, что при уходе в троттлинг контроллера SSD температура флеша падала на 10-15 °С?
это у вас снова слишком прямолинейная трактовка наблюдений.
на самом деле в ходе продолжительной записи до начала троттлинга флеш нагревался лишь чуть медленнее контроллера, разница их температур на поверхности чипов была невелика, дельта относительно 30 градусов в покое у нагревающегося флеша была примерно на треть ниже, чем у контроллера.
троттлинг включался, когда температура, показываемая датчиком выходила за 70-80 (вроде бы) градусов. реально на контроллере она была выше (хотя ниже 90). на флеше около 60 и иногда немного выше.
если бы троттлинг не включался, то очевидно, что нагрузка записи была бы ещё выше и флеш разогревался бы дальше. так как я не имею ни возможности ни желания отключать троттлинг, то не могу точно сказать, до какой температуры мог бы разогреться флеш без него. беглый взгляд на графики температуры датчика, представленные в обзорах, говорит о том, что температура контроллера до её стабилизации могла бы дотянуть и до 100 градусов, что соответствует нагреву флеша до 70-75 градусов. отсюда сделан вывод, что троттлинг контроллера позволяет попутно снизить (вернее предотвратить) разогрев флеша на 10-15 градусов.
Тогда, почему на мой прямой вопрос, где о них можно почитать, ты дал ссылки на "протиральщиков"?...
потому что полностью та моя фраза была вот такой :
в том то и дело, что испытания проводятся эмуляцией эксплуатации. кроме того, они проводятся для подтверждения заявленного endurance, а не выяснения какого-то предельного, как этот на 3dnews. причем не только же на 3dnews подобные тесты на износ делали
в ней фабричные тесты, проводящиеся скорее всего в соответствии с jedec и имевшиеся в виду в первой части фразы, противопоставлялись тестам как этот на 3dnews и ему подобных.
я же уже писал вам, что выдирая квотируемые фразы из контекста вы теряете/искажаете их смысл. в данном случае часть "они проводятся для подтверждения заявленного endurance" относилась к тестам фабричным/jedec. про которые писал уважаемый iXHell, а ваш вопрос я понял, как относящийся к тестам подобным на 3dnews. потому как перед этим вы вроде как были в курсе где почитать стандарты jedec.
Вот, например, один из повевшихся...
вы понимаете, что делая вывод о всех подписчиках на основании одной реплики одного конкретного подписчика, вы делаете ещё более грубую ошибку чем ту, которую приписываете авторам теста на износ на 3dnews ? они хотя бы, переводя по аналогии, анализируют все фразы тестируемых ssd, а вы выхватили одну, без контекста, проинтерпретировали её по своему, совсем не так как автор фразы (потому что в его интерпретации он совершенно прав - после записи 1PB на 850evo он работал, адекватно отвечал на запросы системы, так что выдержал), а, главное, затем сами придумали вывод и распространили его на все множество подписчиков, не являющихся профессионалами. вам не стыдно, а ?
про разгон
Allex А можно источник этих сведений?
каких ? того, что запись у samsung в 3d nand идет одним импульсом, а у планарной tlc тремя ? да вот хоть тут. материалы конференций в санта-кларе полистайте.
Григорий-Г так, к слову, для разделения 4 битов требуется 3 пороговых напряжения, а не 4.
а в целом вы заблуждаетесь, когда считаете, что mlc/tlc одинаковы и для планарной и для трехмерной организации флеша. число уровней заряда/бит ячейки флеша является далеко не единственной характеристикой, влияющей на ресурс записи/очистки для ssd.
Исправлено: Orry, 21.06.2018 11:24