На сегодня оптимальные модули основаны на чипах Hynix A-Die, их список:
https://www.gigabyte.com/Motherboard/Z790-AORUS-MAST…rt#support-memsup
Лучший контроллер питания памяти PMIC - Renesas.
Тесты от интела разных плат и модулей памяти:
https://www.intel.com/content/dam/www/central-librar…atasheet-ddr5.pdf
Безопасные напряжения на память для 24/7 эксплуатации.
Jedec разрешает люфт в +6%.
VDD=1.166 (идет на процессор)
VDDQ=1.166 (идет на контроллер процессора)
VPP=1.908 (для доступа к строке)
VDD может быть меньше VDDQ на 60 мВ.
Максимальные напряжения (по Jedec):
VDD=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VDDQ=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VPP=2.10
VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 100 мВ по билдзоиду,
а по Jedec 66 мВ. Для DDR4 VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 300 мВ.
MSI считает 1.435 относительно безопасным напряжением на память DDR5.
Напряжения для процессора:
1)Transmitter VDDQ=TX VDDQ =1.25+ (CPU VDDQ Voltage), выставляем =VDDQ на памяти, есть мнение, что нужно выставлять = большему из двух параметров (VDD и VDDQ на памяти).Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 1.1V. Dakar считает безопасным 1.28-1.32V.В принципе 1.35V должно хватать для разгона.
2)MC VDD (на контроллере=CPU VDD2 Voltage)= 1.25+
(зависит от частоты памяти, количества ранков и количества планок)
Buildzoid считает оптимальным 1.20-1.45V. Сток - 1.1V.
Максимум по даташиту интела 1.26 (для DDR4) и 1,166 для DDR5.
garison87 не рекомендует превышать 1.40V.
3)SA (CPU SA Voltage)=1.25+
Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 0.9V.
1.35V должно хватить для любого разгона.
Китайский оверклокер sulalin считает, что при разгоне нужно вручную задавать только напряжения VDD и VDDQ на память, оставляя все остальные в авто.
https://www.gigabyte.com/Motherboard/Z790-AORUS-MAST…rt#support-memsup
Лучший контроллер питания памяти PMIC - Renesas.
Тесты от интела разных плат и модулей памяти:
https://www.intel.com/content/dam/www/central-librar…atasheet-ddr5.pdf
Безопасные напряжения на память для 24/7 эксплуатации.
Jedec разрешает люфт в +6%.
VDD=1.166 (идет на процессор)
VDDQ=1.166 (идет на контроллер процессора)
VPP=1.908 (для доступа к строке)
VDD может быть меньше VDDQ на 60 мВ.
Максимальные напряжения (по Jedec):
VDD=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VDDQ=1.40 , Hynix заявляет для своих чипов 1.50
VPP=2.10
VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 100 мВ по билдзоиду,
а по Jedec 66 мВ. Для DDR4 VDD и VDDQ не должны отличаться больше, чем на 300 мВ.
MSI считает 1.435 относительно безопасным напряжением на память DDR5.
Напряжения для процессора:
1)Transmitter VDDQ=TX VDDQ =1.25+ (CPU VDDQ Voltage), выставляем =VDDQ на памяти, есть мнение, что нужно выставлять = большему из двух параметров (VDD и VDDQ на памяти).Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 1.1V. Dakar считает безопасным 1.28-1.32V.В принципе 1.35V должно хватать для разгона.
2)MC VDD (на контроллере=CPU VDD2 Voltage)= 1.25+
(зависит от частоты памяти, количества ранков и количества планок)
Buildzoid считает оптимальным 1.20-1.45V. Сток - 1.1V.
Максимум по даташиту интела 1.26 (для DDR4) и 1,166 для DDR5.
garison87 не рекомендует превышать 1.40V.
3)SA (CPU SA Voltage)=1.25+
Buildzoid считает безопасным 1.45V. Сток - 0.9V.
1.35V должно хватить для любого разгона.
Китайский оверклокер sulalin считает, что при разгоне нужно вручную задавать только напряжения VDD и VDDQ на память, оставляя все остальные в авто.
Советы по разгону DDR5 памяти
Простая таблица для разгона DDR5 памяти
Исправлено: anta777, 07.10.2022 18:29
, изначально меня больше волновал нагрев процессора, чем скорость памяти.
вставить выделенную цитату в окно ответа