Многие отечественные разработчики никогда не слышали о самом крупном производителе высокопроизводительных микросхем SRAM памяти GSI Technology. GSI считается лидером среди производителей SRAM по совокупности причин:
О компании GSI Technology с подробной картой продуктов (рус., pdf)
Интервью представителя GSI Technology о развитии рынка и его особенностях в РФ (рус., pdf)
Каталог продукции. Общий (анг., pdf)
Каталог продукции. Высоконадежные микросхемы (анг., pdf)
Сравнительная таблица производительности SRAM (рус., pdf)
=============== Линейка продуктов ===============
Asyc SRAM (Async SRAM)- от 1 Мбит до 9 Мбит, архитектура x4/8/16/24/36, питание 3.3 В, задержка 7/8/10/12 нс, корпуса 119-BGA, TSOP-II, 6x10мм FPBGA, 6x8мм FPBGA, индустриального и коммерческого исполнения;
Sync SRAM(No-Bus-Turnaround, SyncBurst, SigmaQuad-II/II+/III/IV, SigmaDDR-II/II+/III/IV) - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с объемом до 288 Мбит и частотой до 1333 МГц. Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;SigmaQuad-II/II+ и SigmaDDR-II/II+ опять же самая большая частота и объем 675 МГц и 288 Мбит SigmaQuad-III/IV и SigmaDDR-III/IV - самая высокой производительность из всех SRAM и минимальная задержка
Статья. Семейство NBT (рус., pdf)
Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf)
Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf)
Low Latency DRAM 2 (LLDRAM-II) - архитектура состоит из 8-DRAM банков со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Обращение к ячейкам выполняется за один такт. Время доступа (tRC) 15 или 20 нс (для примера, время доступа DDR3 около 40 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 и 576 Мбит, x9/18/36 с раздельными или совмещенными портами чтения и записи. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron или Renesas;
Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf)
Bandwidth Engine 2 (BE-II) - выполнена по технологии 1T-SRAM, состоит из 4 секций 2Мбит x72, по 64шт. DRAM банков в каждой секции, интерфейс выполнен на 16 линиях SerDes с максимальной скоростью 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3,2 нс, задержка чтения 13 нс, Transaction Rate = 4+ BT/s, Data Bandwidth = 200 + 200 Gb/s full duplex. В серийном производстве память объемом 576 Мбит. ---- Из-за финансовых проблем у MoSys на эти микросхемы проекты не регистрируются, поставки существующим заказчикам будут выполняться в рабочем режиме.
Радиационно-стойкая SRAM
- SigmaQuad-II+ 288 Мбит, архитектура х18 и х36, опция согласования сопротивления (On-Die Termination), рабочая частота до 350 МГц, 200 кРад, 80 МэВ, керамический 165-ССGA корпус, рабочий диапазон температур –55…+125 °C.
- NBT и Burst 36...144 Мбит, x18/36, до 333 МГц, 300 кРад, 80 МэВ, керамический 100-TQFP корпус, –55…+125 °C.
Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандартам QML-Q и QML-V. Микросхемы поставляются в РФ без лицензий.
=============== Преимущества ===============
- существует только за счет SRAM памяти, нет DRAM, нет Flash в то время, как такие гиганты, как Samsung, IBM, NEC, Micron уже закрыли это направление
- самая широкая линейка продукции, более 15 000 микросхем
- выпускает микросхемы с самой высокой рабочей частотой и самым большим объемом на рынке
- бесплатная настройка IP core под задачу конечного заказчика
- единственный производитель SRAM категории Military & Aerospace (-55С...+125С, 10 лет без снятия с производства)
- единственный производитель, который выпускает семейство SigmaQuad-III
- самый длительный срок жизни микросхем, минимальный 7 лет
О компании GSI Technology с подробной картой продуктов (рус., pdf)
Интервью представителя GSI Technology о развитии рынка и его особенностях в РФ (рус., pdf)
Каталог продукции. Общий (анг., pdf)
Каталог продукции. Высоконадежные микросхемы (анг., pdf)
Сравнительная таблица производительности SRAM (рус., pdf)
=============== Линейка продуктов ===============
Asyc SRAM (Async SRAM)- от 1 Мбит до 9 Мбит, архитектура x4/8/16/24/36, питание 3.3 В, задержка 7/8/10/12 нс, корпуса 119-BGA, TSOP-II, 6x10мм FPBGA, 6x8мм FPBGA, индустриального и коммерческого исполнения;
Sync SRAM(No-Bus-Turnaround, SyncBurst, SigmaQuad-II/II+/III/IV, SigmaDDR-II/II+/III/IV) - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с объемом до 288 Мбит и частотой до 1333 МГц. Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;
Статья. Семейство NBT (рус., pdf)
Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf)
Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf)
Low Latency DRAM 2 (LLDRAM-II) - архитектура состоит из 8-DRAM банков со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Обращение к ячейкам выполняется за один такт. Время доступа (tRC) 15 или 20 нс (для примера, время доступа DDR3 около 40 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 и 576 Мбит, x9/18/36 с раздельными или совмещенными портами чтения и записи. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron или Renesas;
Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf)
Bandwidth Engine 2 (BE-II) - выполнена по технологии 1T-SRAM, состоит из 4 секций 2Мбит x72, по 64шт. DRAM банков в каждой секции, интерфейс выполнен на 16 линиях SerDes с максимальной скоростью 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3,2 нс, задержка чтения 13 нс, Transaction Rate = 4+ BT/s, Data Bandwidth = 200 + 200 Gb/s full duplex. В серийном производстве память объемом 576 Мбит. ---- Из-за финансовых проблем у MoSys на эти микросхемы проекты не регистрируются, поставки существующим заказчикам будут выполняться в рабочем режиме.
Радиационно-стойкая SRAM
- SigmaQuad-II+ 288 Мбит, архитектура х18 и х36, опция согласования сопротивления (On-Die Termination), рабочая частота до 350 МГц, 200 кРад, 80 МэВ, керамический 165-ССGA корпус, рабочий диапазон температур –55…+125 °C.
- NBT и Burst 36...144 Мбит, x18/36, до 333 МГц, 300 кРад, 80 МэВ, керамический 100-TQFP корпус, –55…+125 °C.
Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандартам QML-Q и QML-V. Микросхемы поставляются в РФ без лицензий.
=============== Преимущества ===============
- ни одна из микросхем не попадает под экспортные ограничения США и Европы
- ко всем микросхемам бесплатно предоставляются:
- сконфигурированный под задачу конечного пользователя IP core для подключения памяти к ПЛИС производства Xilinx или Altera (этого не предлагает ни один другой производитель SRAM)
- электрическая схема и топология печатной платы, на которой инженеры GSI отлаживали IP core
- программные модели (BSDL, IBIS)
- техническая поддержка от производителя - в наличии корпуса с содержанием свинца (non Pb-free или ROHS 5/6)
- бесплатные образцы
- минимальное количество заказа микросхем гораздо ниже, чем у аналогичных производителей
- Military & Aerospace -55°C...+125°C и гарантия производства в течение следующих 10 лет после оформления заказа
- минимальный период производства микросхемы - 7 лет
- бесплатная опция заказа микросхем из одной партии с одинаковым кодом даты
- наличие в линейке продукции аналогов микросхем статической памяти других производителей: Cypress, Samsung, ISSI, Renesas, Micron, IDT, Alliance Memory, NEC.
Для подбора полных аналогов (fit, form, function) удобно сделан Cross Referens.
Я работаю в представительстве GSI и мы занимаемся информационной поддержкой и сопровождением проектов заказчиков, работаем над узнаваемостью бренда в регионе. Мы не занимаемся продажами, для этого у GSI в РФ есть два официальных дистрибьютора:- Avnet-Silica
- Mouser с официальным партнером для работы с заказчиками из РФ - компанией ПМ Электроникс (работает с физ. лицами)
Исправлено: evgen740102, 18.06.2018 22:39