KaVc

Я немножко другое имел в виду. Если плясать от параметров этого дросселя - 8.2мкгн и 50А, то какое выходное напряжение и мощность можно получить на практике, с минимумом потерь? (я то понимаю, что в теории можно хоть 1000в получить)

A-Gugu
И я на другое намекаю.
По всего двум параметрам лишь одного компонента не гадают оптимизацию всего запрошенного.
Общие соображения выше.

Я подумал, и практичней будет наверное делать первый каскад на синхронном контроллере, скажем LM5122. На нём с 12 вольт поднимаем до 60 вольт, а уже из 60 вольт делаем далее высокое по нужде. Но есть нюанс, транзисторы в датащите у 5122 указаны весьма дорогие, а можно поставить более ходовые типа 50N06 и так далее?

KaVc
Для обратнохода не проблема.
Да и в ПХ никто не отменял ШИМ. Единственно при использовании готовых трансформаторов от ОХ будет повышенный ток ХХ и проблемы с рассеянием, но в теории можно.

A-Gugu
можно поставить более ходовые типа 50N06 и так далее?
Все остальные буквы и производитель тоже важны, под этим индексом скрывается множество поколений мосфетов за последние 30 лет.
Например, по одному лишь заряду затвора разброс 30 - 50 - 130 нКл.

Ну скажем вот такие: https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_GOFORD-G…04T_C5258962.html

Вроде самый низкий total gate charge из доступных в типоразмере ТО-220.

A-Gugu
Однако трудно 40-вольтовым до 60 вольт поднимать.
Низкий Qg - не единственная цель, но при прочих равных (Vds, Rds) даёт предоставление о древности технологии мосфета.

KaVc
Низкий Qg - не единственная цель, но при прочих равных (Vds, Rds) даёт предоставление о древности технологии мосфета.
Вроде как Qg*Rds считается figure of merit и апается в каждом поколении.
То есть при прочих равных именно низкий заряд будет говорить о новизне.

KaVc
Однако трудно 40-вольтовым до 60 вольт поднимать.

Это да, я просто искал чтоб и то и другое было в диапазоне.

Я вот сделал небольшую подборку по характеристикам, получается очень странно - транзисторы, близкие к оригинальным Qg, имеют ужасный Rdson и наоборот:

A-Gugu
Я вот сделал небольшую подборку по характеристикам, получается очень странно - транзисторы, близкие к оригинальным Qg, имеют ужасный Rdson и наоборот:


Малое сопротивление достигается большой площадью. Но она же даёт и больше ёмкости.
Соответственно, нужно выбирать по приемлемой совокупности показателей. Тем более что выбор (как уже говорилось) сразу из разных производителей и поколений.

ertzeb

Это всё понятно, но оригинальный мосфет на 40 вольт, а я смотрю на 80 вольтовые , по идее ведь выше напряжение, толще затвор, выше Rdson (что так и есть) но и меньше должна же быть емкость.

A-Gugu
Это всё понятно, но оригинальный мосфет на 40 вольт, а я смотрю на 80 вольтовые , по идее ведь выше напряжение, толще затвор, выше Rdson (что так и есть) но и меньше должна же быть емкость.

Напряжение по большей части без разницы. Размеры кристалла в первую очередь сказываются на площади (сечении проводника) и сопротивлении канала.
Поэтому меньшую ёмкость можно широко встретить в каких-то "левых" транзисторах: там просто мелкий кристалл пихают в большой корпус.

Китайский модуль ШИМ 12В для электродвигателя - можно ли ним регулировать резистивную нагрузку?

ertzeb
Размеры кристалла в первую очередь сказываются на площади (сечении проводника) и сопротивлении канала.
В 1ю - на мощности и ОБР.

Добавление от 05.01.2025 18:13:

Ivanko1
Китайский модуль ШИМ 12В для электродвигателя - можно ли ним регулировать резистивную нагрузку?
Оф Корс!

Ivanko1

Без проблем.

Существует ли внятная формула для расчёта силы, с которой притягивает якорь электромагнит в виде соленоида?
Есть вышедшая из строя катушка от электронного замка. Её всё равно нужно перематывать. Можно намотать больше витков проводом потоньше, но тогда из-за омического сопротивления будет ниже ток.
А можно взять провод потолще, ток станет выше, но витков будет меньше. Как найти оптимальное сечение провода и кол-во витков, чтобы получить наибольшую силу магнита в тех же габаритах?
Будем считать, что блок питания в разумных пределах всё выдержит. Ампер 5-6 при напряжении 12 В.

Добрый Бауманец
Базовая формула F = BIL, то есть в 1м приближении число витков не важно, мотают так, чтоб выполнить требования эксплуатационные.

zoog
В 1ю - на мощности и ОБР.

Разумеется, общее сечение увеличит и возможности по мощности. То есть в общем случае нужно выполнять требования по току, сопротивлению и температуре. И далее соотносить их с возможностями ключей раскачки.
Просто если говорить о влиянии напряжения, оно достигается длиной последовательной цепи. То есть длиной канала, последовательной сборкой транзисторов и т.п.
Влияние на размеры при этом тоже есть, но меньшее. В то время как у транзисторов даже с равным рабочим напряжением можно заметить очень сильную зависимость ёмкости от сопротивления и наоборот.

Если же говорить о возможностях транзисторов, с учётом этих обстоятельств, то был когда-то опыт долботни с поддельными транзисторами. Мы их с обоих сторон пытались сдавливать радиаторами (причём довольно сильно), обдувать, но они при этом не тянули того, что делали фирменные той же марки на небольшом радиаторе.

И учитывая, что точного выбора транзистора не предполагается, придётся делать схему с запасом. Разрабатывая её исходя из самых худших разновидностей, которые могут в неё попасть.

ertzeb
Мы их с обоих сторон пытались сдавливать радиаторами (причём довольно сильно)
Свидетели охлаждения через пластик?)

обдувать, но они при этом не тянули того, что делали фирменные той же марки на небольшом радиаторе.
Если то были полевики - то они довольно тривиально проверяются на оригинальность и можно предположить, что там внутри на самом деое. Если транзистор не 200, а 50-ваттный, то 40Вт он не вынесет в реальных условиях, а уж по ОБР и вовсе - там охлаждение мало что даст.


И учитывая, что точного выбора транзистора не предполагается, придётся делать схему с запасом. Разрабатывая её исходя из самых худших разновидностей, которые могут в неё попасть.
Никто так не делает. Поставишь запас 3-кратный - китайцы/закупщики преподнесут девайс, шринкованный 10-кратно. Ну и скорости/требования к драйверу сильно ухудшатся. А в некоторых топологиях, где важна Со, это и вовме не вариант.

zoog
Свидетели охлаждения через пластик?)

Скорее жертвы перемаркированного хлама. Применить его оказалось невозможным.

Если то были полевики - то они довольно тривиально проверяются на оригинальность и можно предположить, что там внутри на самом деое.

Разумеется. Но только после приобретения. Когда их остаётся либо выбросить, либо дожечь опытами.

Никто так не делает.

А придётся. У него выбора нет.
И неважно к трансформатору это относится или к транзистору.

ertzeb
Когда их остаётся либо выбросить, либо дожечь опытами.
Можно использовать как слаботочные.


А придётся. У него выбора нет.
Ну я написал, почему это работать не будет. Меняйте подход - ставьте в ВОМ чисто китайские транзисторы, которые они пока ещё не подделывают, либо прописывайте требования к поставщику, либо используйте 10n40, которые настолько дешёвые, что их тоже не подделывают как правило.

Приветствую. Какие резики нужно заменить чтоб уменьшить яркость сдиодов? Полагаю это все 12 штук слева на рисунке? Хотелось бы меньше если можно, чтоб они охватили всё сдиоды. И какое значение резиков чтоб уменьшить яркость на 50-60%?
https://microsin.net/adminstuff/hardware/samsung-rl3…w-led-repair.html
Upd: перепутал стороны, спасибо

Исправлено: Gadzhi, 06.01.2025 21:41

Gadzhi
Полагаю это все 12 штук справа на рисунке?
В смысле, слева? Интересно, зачем разработчик так разорился на резисторы. Зависимость яркости от тока нелинейная, так что ток надо снизить раза в четыре, чтобы яркость упала наполовину. Это так, на вскидку. Если чуть изловчиться, то можно использовать по два имеющихся, перепаяв их последовательно.
Но проще всего просто подложить полупрозрачную пленку.

Temp_user
Зависимость яркости от тока нелинейная, так что ток надо снизить раза в четыре, чтобы яркость упала наполовину.
Яркости - линейная, а вот субъективного восприятия - антилогарифм.

Интересно, зачем разработчик так разорился на резисторы.
Для оперативного изменения яркости либо путём допайки, либо, при эксплуатации - выкусыванием

народ, вы прикалываетесь чтоле? правые резисторы на кнопки идут вааще-то

short_circuit
народ, вы прикалываетесь чтоле? правые резисторы на кнопки идут вааще-то
А кто говорит про правые??

Нужно получить 24 В, 3 А от GaN-зарядки, от зарядки можно взять через внешний триггер 20 В или 28 В.
Затем DС-DС преобразователь на 24. Может есть другие решения?

Aleg007, разумеется! Переделать на 24.

zoog
И что будем переделывать?

Aleg007
GaN-зарядку, что же ещё-то?

Aleg007
Нужно получить 24 В
С какой погрешностью? Моя практика показывает, что 20В триггера хватало на все случаи для питания 24В устройств.

Aleg007
от зарядки можно взять через внешний триггер 20 В или 28 В.
А не проще сразу от неё получить 24В ? Стандартное напряжение для современного PD.

alexey_public
Стандартное напряжение для современного PD

5В 3А, 9В 3А, 15В 3А, 20В 2.25А, 20В 3А, 20В 5А, нет там 24

Добавление от 06.01.2025 20:50:

TahoeReload
20В триггера хватало на все случаи для питания 24В устройств
Медицинский аппарат, может ему и хватит 20в, но не буду рисковать

Aleg007
нет там 24
Ой точно Был не прав. Надеюсь на этот раз запомню
Ну тогда 28В и stepdown.

Добавление от 06.01.2025 20:51:

А нет - в PD3.1 можно напряжение регулировать и получить ровно 24В при необходимости от источника.
В общем нужен самый современный БП с PD 3.1 и Adjustable Voltage Supply и соответствующий триггер на 24В.