О себе: | GSI Technology - производитель микросхем статической памяти без собственных фабрик (fabless), компания основана в 1995г., штаб-квартира в США, специализируется на изготовлении только высокопроизводительной памяти. Для производства микросхем GSI пользуется услугами фабрик TSMC, Тайвань (40нм, 65нм и 90нм) и PTC, Тайвань (72нм, только семейство LLDRAM). Официальным дистрибьютором GSI Technology на территории Российская Федерации является Avnet-Silica.… читать дальше
Линейка продуктов:
Асинхронная SRAM - от 1 Мбит до 9 Мбит, архитектура x4/8/16/24/36, питание 3.3 В, задержка 7/8/10/12 нс, корпуса 119-BGA, TSOP-II, 6x10мм FPBGA, 6x8мм FPBGA, индустриального и коммерческого исполнения;
Синхронная SRAM (NBT, Burst, SigmaQuad-II/II+/III/IV, SigmaDDR-II/II+/III/IV) - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальным объемом 288 Мбит. Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;
Псевдо-SRAM (LLDRAM-II) - 8-банковая архитектура DRAM памяти со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Внешний интерфейс значительно проще, чем у DRAM. В отличие от много-банковой DRAM адресация происходит за один цикл, что позволяет уменьшить время доступа (tRC) до 15 нс (для примера, у DRAM DDR3 tRC=~40 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron и Renesas;
Радиационно-стойкая SRAM - SigmaQuad-II+ 288 Мбит, архитектура х18 и х36, опция согласования сопротивления (On-Die Termination), рабочая частота до 350 МГц, 200 кРад, 80 МэВ, керамический 165-ССGA корпус, рабочий диапазон температур –55…+125 °C. - NBT и Burst 144/72/36 Мбит, x18/36, до 333 МГц, 300 кРад, 80 МэВ, керамический 100-TQFP корпус, –55…+125 °C. Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандартам QML-Q и QML-V. Микросхемы поставляются в РФ без лицензий. |